【中国礼品网讯】陶瓷因其具有相当多的物性，故即使作为多晶体，制造方法也不只一种，因此，烧结方法也有多种，下面分别加以介绍。
（1）常压烧结。所谓一般烧结即指常压烧结。它是使用最广泛的一种方法。陶瓷器，耐火材料最先采用这种方法。最后，氧化铝、铁氧体等许多新的陶瓷也采用了这一方法，由于该法在将原料成形后只进行烧成便可成为制品，所以，与其他方法相比，是经济有效的，但也有不利之点，为了使物质所具的功能充分发挥出来，所以也有采用其他方法进行烧结的情况。
（2）热压烧结。该法是将粉末填充于模型内，在高温下一边加压一边进行烧结的方法，Si3N4、SiC、Al2O3等使用该法，然而因成本较高，故其应用受到限制。
（3）热等静压法（HIP）烧结。热压烧结一般是沿单轴方向进行加压烧结，相对而言，这种方法是借助于气体压力而施加等静压的方法，其英文全称是Hot Isostatic Press，取其各词的头一个字母，称为HIP，除SiC、Si3N4使用该法外，Al2O3、超硬合金等也使用该法，它是有希望的新技术之一。
（4）超高压烧结。与合成金刚石的方法相同，在烧结金刚石和C-BN时采用这种方法，在其他难烧结物质的研究中，也采用此法。
（5）反应烧结。通化化学反应而烧结的方法称为反应烧结法，由于作为Si3N4和Sil的烧结方法而受到人们重视。
现在Si3N4为例进行说明。首先制作Si3N4粉末成形体，然后，将这种成形体置于氮气中烧成，经过Si+N2→Si3N4的反应过程而制得Si3N4烧结体，在这种情况下，因为N2气是反应源，故不会形成多孔质物质，这样制得的氮化硅烧结体没有尺寸变化，此为其特征之一。
（6）二次反应烧结 这是最近研究出的Si3N4的烧结方法。这种方法是在Si粉末成形体氮化之前或氮化以后，使之浸渍Y2O3、MgO等，通过反应烧结的添加剂来谋求致密烧结的方法。
另外，作为HIP的低压实例，还有所谓气氛加压烧结的方法，化学气相沉积法（CVD）也是可以采用的方法之一。